变更项目：多款8位、32位产品数据手册批量更新 

ES7P001/003：

1、第3章增加芯片唯一识别码相关内容；
2、附录3.1中增加芯片ESD特性参数表；
3、增加T21多功能复用输出端口说明等。
 
HR7P169B：
1、 电气特性部分新增芯片ESD特性；
2、 增强对SFR寄存器中的仅供测试用控制位的描述，禁止用户设置；
3、 加强对运放应用参考电路的描述，添加放大倍数对offset影响的描述。
 
ES7P179x/ HR7P179/ HR7P179A：
1、 电气特性部分新增芯片ESD特性；
2、 增强对SFR寄存器中的仅供测试用控制位的描述，禁止用户设置。
 
ES7P202x/ES7P295x/HR7P169/HR7P201：
1、 电气特性部分新增芯片ESD特性；
2、添加Flash存储器支持至少10万次擦写次数，10年以上的数据保持时间。
 
HR7P153：

1、电气特性部分新增芯片ESD特性。

ES8P508x：
1、 更新T16Nx的刹车信号标志位处理方式；
2、更新了IWDT的重载LOAD寄存器默认值；
3、 电气特性部分新增芯片ESD特性；
4、增加ADC使用内部正参考电压相关内容。
 
HR8P506：
1、 电气特性部分新增芯片ESD特性；
2、修改“系统时钟电路结构框图”，WDT模块添加PCLK时钟源，添加SPI，I2C外设模块；
3、 删除了管脚图备注中对PA6管脚作为输出使用的推荐描述；
4、 修改BOR最低档位的电压范围上限为2.3V；
5、更新ADC小信号offset参数；
6、 删除SWD调试时，不能使用外部参考VREFP的描述；

7、 在“深度睡眠模式”章节，添加进睡眠模式前清所有中断挂起标志位的备注，在深睡眠功耗特性图中添加功耗单位。