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ES32F365x_Datasheet_C V1.4

1.表5-4中，fHCLK1，fHCLK1，fPCLK1，修订为96MHz

2.表5-5中，增加Vstart，VDD上电初始电压最大值200mV

3.表5-6中，根据最新实测值，修订VBOR最小值，典型值和最大值;VBOR电压迟滞修订为10mV

4.表5-7,5-8,5-9中，最大值，TA=85修订为典型值，TA=25；表5-7中，HOSC时钟源，所有外设使能条件下，IVDD修订为96MHz 24.6mA 72MHz 19.8mA 48MHz 14.0mA 36MHz 11.0mA 24Mhz 7.6mA

5.表5-10中，最大值（VDD=5V,TA=85）修订为典型值，外设关闭条件下的参数由134修订为137

6.表5-11中，最大值（VDD=5V,TA=85）修订为典型值，且修正所有参数值。

7.表5-12中，修订standby模式下的电流特性，且增加备注：STANDBY模式下的电流特性值，是基于PIN1与其他VDD保持约0.3V压差的测试条件下得到的。

8.表5-16中，CL1，CL2的典型值修订为15

9.表5-18，ACCHRC24M，最大值修订为3，IDD，HRC电流，24MHz，典型值修订为160

10.表5-19，ACCLRC精度在全温度范围内修订为10%

11.表5-20，ACCULRC，TA=25，最大值修订为10，TA=–40~85°C,最大值修订为30

12.表5-26中，VIL增加TA=–40~+85°CVDD=3.3V条件下的特性值；VIH增加TA=–40~+85°CVDD=3.3V条件下的特性值；IOL在VDD=2.5V VOL=0.2V的条件下，最小值，典型值，最大值修订为0.6,0.8和1.0；I/O上下拉电阻RPU和RPD最小，典型和最大值修订为34，35，36kΩ。

13.更新5.5.11章节的电流驱动曲线图

14.表5-33中，修订VREFP_INT，VDD=3.3V~5V，最小值为1.95，最大值为2.10

15.表5-34，ERRINL最大值修订为14LSB

16.表5-35，ERRDNL最大值修订为8LSB；ERRINL最大值修订为18LSB

17.表5-36中，修订ERRDNL最大值为7;修订ERRINL，典型值为25，最大值为40

18.修订图5-1

19.章节3.2管脚功能定义中，ACMP0修订为ACMP

ES32F366x_Datasheet_C V1.4

1.表2-1中，GPIO数量修订为88,52,36

2.表5-4中，fHCLK1，fHCLK2，fPCLK1，修订为96MHz

3.表5-5中，增加Vstart，VDD上电初始电压最大值200mV

4.表5-6中，根据最新实测值，修订VBOR最小值，典型值和最大值

5.表5-7,5-8,5-9中，最大值，TA=85修订为典型值，TA=25；表5-7中，HOSC时钟源，所有外设使能条件下，IVDD修订为96MHz 24.6mA 72MHz 19.8mA 48MHz 14.0mA 36MHz 11.0mA 24Mhz 7.6mA

6.表5-10中，最大值（VDD=5V,TA=85）修订为典型值，外设关闭条件下的参数由134修订为137

7.表5-11中，修订STOP2模式下的功耗值

8.表5-12中，修订standby模式下的电流特性，并增加备注：STANDBY模式下的电流特性值，是基于PIN1与其他VDD保持约0.3V压差的测试条件下得到的。

9.表5-16中，CL1，CL2的典型值修订为15

10.表5-18，ACCHRC24M，最大值修订为3，IDD，HRC电流，24MHz，典型值修订为160

11.表5-19，ACCLRC精度在全温度范围内修订为10%

12.表5-20，ACCULRC，TA=25，最大值修订为10；TA=–40~85°C,最大值修订为30

13.表5-26中，IOL在VDD=2.5V VOL=0.2V的条件下，最小值，典型值，最大值修订为0.6,0.8和1.0；I/O上下拉电阻RPU和RPD最小，典型和最大值修订为34，35，36kΩ。

14.表5-35，ERRINL最大值修订为14LSB

15.表5-36，ERRDNL最大值修订为8LSB；ERRINL最大值修订为18LSB

16.表5-37中，修订ERRDNL最大值为7;修订ERRINL，典型值为25，最大值为40

17.修订图5-1

18.章节3.2管脚功能定义中，ACMP0修订为ACMP

ES32F369x_Datasheet_C V1.4

1.表5-4中，fHCLK1，fHCLK2，fPCLK1，修订为96MHz

2.表5-5中，增加Vstart，VDD上电初始电压最大值200mV

3.表5-6中，根据最新实测值，修订VBOR最小值，典型值和最大值；VBOR电压迟滞修订为10mV

4.表5-7,5-8,5-9中，最大值，TA=85修订为典型值，TA=25；表5-7中，HOSC时钟源，所有外设使能条件下，IVDD修订为

96MHz 24.6mA

72MHz 19.8mA

48MHz 14.0mA

36MHz 11.0mA

24MHz 7.6mA

5.表5-10中，最大值（VDD=5V,TA=85）修订为典型值，外设关闭条件下的参数由134修订为137

6.表5-11中，修订STOP2模式下的功耗值

7.表5-12中，修订standby模式下的电流特性，并增加备注：STANDBY模式下的电流特性值，是基于PIN1与其他VDD保持约0.3V压差的测试条件下得到的。

8.表5-16中，CL1，CL2的典型值修订为15

9.表5-18，ACCHRC24M，最大值修订为3，IDD，HRC电流，24MHz，典型值修订为160

10.表5-19，ACCLRC精度在全温度范围内修订为10%

11.表5-20，ACCULRC，TA=25，最大值修订为10；TA=–40~85°C,最大值修订为30

12.表5-26中，VIL(CMOS)条件下的最大值修订为0.2xVDD；VIL(TTL)条件下，VDD=5V时，最大值修订为0.8V，VDD=3.3V时，最大值修订为0.6V；IOL在VDD=2.5VVOL=0.2V的条件下，最小值，典型值，最大值修订为0.6,0.8和1.2；I/O上下拉电阻RPU和RPD最小，典型和最大值修订为34，35，36kΩ。

13.更新5.5.11章节的电流驱动曲线图

14.表5-34，VREFP_INT在条件VDD=3.3V~5V下，修订为最小值1.95，最大值2.10

15.表5-35，ERRINL最大值修订为14LSB

16.表5-36，ERRDNL最大值修订为8LSB；ERRINL最大值修订为18LSB

17.表5-37中，修订ERRDNL最大值为7;修订ERRINL，典型值为25，最大值为40

18.修订图5-1

19.章节3.2管脚功能定义中，ACMP0修订为ACMP

ES32F36xx_Reference_Manual_C V1.4

1.表3-4中，WAKEUP端口中断修订为WAKEUP端口电平变化

2.章节5.2，添加“存储器读取等待时间可配置”特性的描述

3.章节5.5.2.10，修订MSC_FLASHFPL的复位值为0x0000003F

4.章节6.4.2.3，修订SYSCFG_USBCFG的复位值为0x01680003

5.章节7.4.3.6，修订“APB2外设可工作”为“ACMP，LVD，IWDT，WWDT，RTC，TSENSE等可工作”

6.章节9.5.2.2，修订CMU_CFGR的复位值为0x04000000

7.章节9.5.2.17，修订CMU_PERIDIVR的复位值为0x00000000

8.章节14.4.2.3，修订WWDTWIN中11设置的描述

9.章节20.5.2.16，修订AD16C4Tn_AR的复位值为0x0000FFFF

10.章节21.5.2.3，修订GP16C4Tn_SMCON寄存器中ETFLT的寄存器描述

11.章节32.5.2.25，修改ADCH_PBUF_EN和ADCH_NBUF_EN比特位的描述

12.章节29.5.2，修订USB_TXIE，USB_RXIE，USB_CONFIG0的复位值为0x00000000

13.章节31.6.2，修订QSPI_SPR，QSPI_IFR的复位值为00000000_00000000_00000000_00000000和00000000_00000000_00001000_00000000;修订QSPI_FCWLR为(R/W)，QSPI_FCWHR为(R/W)

14.更新图25-11，图25-12，图25-14，图25-25